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世界の窒化ガリウム半導体デバイス市場の規模、シェア、COVID-19の影響分析、製品別(GaN無線周波数デバイス、光半導体、パワー半導体)、コンポーネント別(パワーIC、トランジスタ、整流器、ダイオード、その他)、ウェーハサイズ別(2インチ、4インチ、6インチ、8インチ)、地域別(北米、ヨーロッパ、アジア太平洋、ラテンアメリカ、中東、アフリカ)、地域別(北米、ヨーロッパ、アジア太平洋、ラテンアメリカ、中東、アフリカ)、2023年~2033年までの分析と予測

リリース日
7月 2025
レポート ID
SIJ7981
ページ
222
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世界の窒化ガリウム半導体デバイス市場規模は2033年までに264億4000万米ドルを超えると予測

Spherical Insights & Consultingが発行した調査レポートによると、世界の窒化ガリウム半導体デバイス市場 規模は、2023年の25億2,000万米ドルから2033年には264億4,000万米ドルに拡大し、2023年から2033年の予測期間中に26.5%のCAGRで成長すると予想されています。  

 

Global Gallium Nitride Semiconductor Devices Market

 世界の窒化ガリウム半導体デバイス市場の規模、シェア、COVID-19の影響分析、製品別(GaN無線周波数デバイス、オプト半導体、パワー半導体)、コンポーネント別(パワーIC、トランジスタ、整流器、ダイオード、その他)、ウェハサイズ別(2インチ、4インチ、6インチ、8インチ)、地域別(北米、ヨーロッパ、アジア太平洋、ラテンアメリカ、中東、アフリカ)、分析と予測2023~2033年」レポートから、103の市場データ表、図表を含む256ページにわたる主要な業界洞察をご覧ください

 

窒化ガリウム半導体デバイス市場は、窒化ガリウム半導体技術を用いた電子部品の製造、流通、販売を行う世界的な産業です。GaNデバイスは、より高い電圧、温度、周波数で動作できるため、多くの産業や用途に最適です。GaN半導体デバイスの需要は、高性能でエネルギー効率の高い電子機器への需要の高まり、高度な電力管理ソリューションへの需要、そして様々な産業におけるGaN技術の利用拡大によって推進されています。また、優れた熱伝導性、高い耐電圧、動的な電気特性、そして理想的なスイッチング周波数といった特性も、市場の需要を牽引しています。パワーエレクトロニクスの進歩は、効率的な電子機器への需要の高まりを招き、窒化ガリウムデバイスの利用を促進しています。さらに、エネルギー損失の低減と消費電力の削減による性能向上への関心が高まっており、窒化ガリウム半導体デバイスの市場ポテンシャルは高まっています。さらに、GaN半導体デバイスの高コストは、その普及に大きな影響を与えています。

 

光半導体セグメントは2023年に最大のシェアを占め、予測期間中に大幅なCAGRで成長すると予測されています

製品別に見ると、世界の窒化ガリウム半導体デバイス市場は、GaN系無線周波数デバイス、光半導体、パワー半導体に分類されます。これらのうち、光半導体セグメントは2023年に最大のシェアを占め、予測期間中に大幅なCAGRで成長すると予測されています。このセグメントの成長は、光半導体がLED、太陽電池、フォトダイオード、レーザー、オプトエレクトロニクスなどのデバイスに使用されていることが主な要因と考えられます。光半導体は、パルス駆動レーザー、屋内外照明、自動車用ライトなど、自動車分野でますます利用されています。

 

パワー IC セグメントは 2023 年に最高のシェアを占め、予測期間中に大幅な CAGR で成長すると予想されます

部品別に見ると、世界の窒化ガリウム半導体デバイス市場は、パワーIC、トランジスタ、整流器、ダイオード、その他に分類されます。これらのうち、パワーICセグメントは2023年に最大のシェアを占め、予測期間中に高いCAGRで成長すると予想されています。この成長は、効率的な航行、衝突回避、リアルタイム航空管制などの機能を提供するGaNベースのパワーICの採用増加によって促進されています。

 

4インチセグメントは2023年に最大のシェアを占め、予測期間中に驚異的なCAGRで成長すると予想されています。

ウェーハサイズに基づいて、世界の窒化ガリウム半導体デバイス市場は2インチ、4インチ、6インチ、8インチに分類されます。これらのうち、4インチセグメントは2023年に最大のシェアを占め、予測期間中に驚異的なCAGRで成長すると予想されています。このセグメントの成長を牽引しているのは、4インチウェーハが半導体デバイスの大規模製造を容易にすることです。4インチウェーハは2インチウェーハの限界を克服し、半導体製品に依存する産業で広く使用されているため、その用途は急速に拡大しています。

 

予測期間中、北米は世界の窒化ガリウム半導体デバイス市場で最大のシェアを占めると予想されます。

北米は、予測期間中、世界の窒化ガリウム半導体デバイス市場で最大のシェアを占めると予想されています。この地域の成長は、窒化ガリウム半導体技術への巨額の投資と、この地域の様々な産業分野における先進エレクトロニクスの大規模な導入によって促進されています。さらに、北米政府もエネルギー損失の削減と市場におけるエネルギー効率の高いデバイスの使用を積極的に奨励しています。これらの取り組みは、この地域における窒化ガリウム半導体デバイスの開発と市場シェアの拡大をさらに促進し、北米が世界市場において主導的な役割を担う基盤を強化しています。

 

アジア太平洋地域は、予測期間中、世界の窒化ガリウム半導体デバイス市場において最も高いCAGRで成長すると予想されています。この地域の拡大は、技術革新の加速と、それに伴うコスト効率が高く高性能なRFデバイスへの需要の高まりによるものです。この地域におけるLEDディスプレイ機器、携帯電話、ビデオゲーム機などの民生用電子機器の主要メーカーには、中国や日本などが挙げられます。これは、この地域市場の成長を力強く後押しするものです。

 

世界の窒化ガリウム半導体デバイス市場の主要ベンダーは、Efficient Power Conversion Corporation、富士通株式会社、Infineon Technologies AG、Transphorm, Inc.、NXP Semiconductors、Texas Instruments Incorporated、Qorvo, Inc、東芝、GaN Systems、NTTアドバンステクノロジ株式会社などです。

 

主なターゲットオーディエンス

  • 市場参加者
  • 投資家
  • エンドユーザー
  • 政府当局 
  • コンサルティング・リサーチ会社
  • ベンチャーキャピタリスト
  • 付加価値再販業者(VAR)

        

最近の開発

  • トランスフォーム社は2024年1月、 4リードTO-247パッケージ(TO-247-4L)に封止された2つの新しい650V SuperGaNデバイスを発表しました。TP65H035G4YSとTP65H050G4YSと名付けられたこれらの新しいFETは、それぞれ35mΩと50mΩのオン抵抗を誇り、ケルビンソース端子を採用することで、エネルギー損失を低減しながら多様なスイッチング機能を実現します。

 

市場セグメント

この調査では、2023年から2033年までの世界、地域、国レベルでの収益を予測しています。Spherical Insightsは、以下のセグメントに基づいて世界の窒化ガリウム半導体デバイス市場をセグメント化しています。 

 

世界の窒化ガリウム半導体デバイス市場(製品別) 

  • GaN無線周波数デバイス
  • 光半導体
  • パワー半導体

 

世界の窒化ガリウム半導体デバイス市場(コンポーネント別) 

  • 電源IC
  • トランジスタ
  • 整流器
  • ダイオード
  • その他

 

世界の窒化ガリウム半導体デバイス市場(ウェハサイズ別)

  • 2インチ
  • 4インチ
  • 6インチ
  • 8インチ

 

世界の窒化ガリウム半導体デバイス市場、地域別

  • 北米
    • 私たち
    • カナダ
    • メキシコ
  • ヨーロッパ
    • ドイツ
    • 英国
    • フランス
    • イタリア
    • スペイン
    • ロシア
    • その他のヨーロッパ
  • アジア太平洋
    • 中国
    • 日本
    • インド
    • 韓国
    • オーストラリア
    • その他のアジア太平洋地域
  • 南アメリカ
    • ブラジル
    • アルゼンチン
    • 南アメリカのその他の地域
  • 中東・アフリカ
    • アラブ首長国連邦
    • サウジアラビア
    • カタール
    • 南アフリカ
    • その他の中東およびアフリカ

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