世界の3D NANDフラッシュメモリ市場規模は 2033年までに979.2億ドルを超えると予測

Spherical Insights & Consultingが発行した調査レポートによると、世界の3D NANDフラッシュメモリ市場 規模は、2023年から2033年の予測期間中に15.3%のCAGRで成長し、2023年の235億9,000万米ドルから2033年には979億2,000万米ドルに達すると予想されています。  

「世界の3D NANDフラッシュメモリ市場の規模、シェア、COVID-19の影響分析、タイプ別（シングルレベルセル、マルチレベルセル、トリプルレベルセル）、アプリケーション別（カメラ、ラップトップ＆PC、スマートフォン＆タブレット）、最終用途別（自動車、コンシューマーエレクトロニクス、エンタープライズ、ヘルスケア）、地域別（北米、ヨーロッパ、アジア太平洋、ラテンアメリカ、中東、アフリカ）、分析と予測2023～2033年」レポートから、110の市場データ表、図表を含む236ページにわたる主要な業界洞察をご覧ください。

3D NANDフラッシュメモリ市場は、不揮発性ストレージ技術の一種である3D NANDフラッシュメモリの製造・販売を行う事業です。この技術は、メモリセルを垂直方向に積層することで、従来の2D NANDフラッシュメモリよりも大容量・高性能なストレージを実現します。高性能・大容量ストレージソリューションへの需要の高まりは、3D NANDフラッシュメモリ市場の成長を牽引する大きな要因となっています。スマートフォン、タブレット、ノートパソコンへの依存度が高まるにつれ、消費者も企業も、より高速で堅牢なストレージソリューションを求めています。さらに、データセンターの急速な拡大とクラウドサービスの利用増加も、増大するデータ量に対応するための高性能メモリソリューションの必要性を高めています。しかし、3D NAND技術の継続的な開発には多額の研究開発投資が必要であり、特に小規模企業にとっては財務上の負担となる可能性があります。品質を損なうことなく生産規模を拡大することも、大きな課題となっています。

トリプルレベルセルセグメントは2023年に大きなシェアを占め、予測期間中に最も速いCAGRで成長すると予測されています。

種類別に見ると、世界の3D NANDフラッシュメモリ市場は、シングルレベルセル、マルチレベルセル、トリプルレベルセルに分類されます。これらのうち、トリプルレベルセルセグメントは2023年に大きなシェアを占め、予測期間中に最も高いCAGRで成長すると予測されています。このセグメントの成長は、そのコスト効率の高さとストレージ容量の増加によって促進されています。TLCはセルあたり3ビットのデータを保持し、シングルレベルセル（SLC）やマルチレベルセル（MLC）技術と比較してより高い密度を実現します。

スマートフォンとタブレットのセグメントは、2023 年に最大の収益シェアを占め、予測期間中に大幅な CAGR で成長すると予想されます。

用途別に見ると、世界の3D NANDフラッシュメモリ市場は、カメラ、ノートパソコン・PC、スマートフォン・タブレットの3つに分類されます。これらのうち、スマートフォン・タブレット分野は2023年に最大の収益シェアを占め、予測期間中に高いCAGRで成長すると予想されています。この分野の成長は、モバイルアプリケーション、マルチメディアコンテンツ、高解像度カメラの利用増加に伴い、大容量ストレージを搭載した携帯電話の需要が高まっていることに起因しています。3D NANDメモリは、読み書き速度の向上、耐久性の向上、そして大容量ストレージを特徴としており、携帯電話に最適なソリューションとして台頭しています。

消費者向け電子電子機器セグメントは2023年に最大の収益シェアを占め、予測期間中に驚異的なCAGRで成長すると予想されています。

最終用途別に見ると、世界の3D NANDフラッシュメモリ市場は、自動車、民生用電子機器、エンタープライズ、ヘルスケアに分類されます。これらの市場の中で、民生用電子機器セグメントは2023年に最大の収益シェアを占め、予測期間中に驚異的なCAGRで成長すると予想されています。このセグメントの成長は、スマートフォンやタブレットからノートパソコンやカメラに至るまで、幅広いデバイスにおける大容量ストレージと効率的な機能への需要の高まりに大きく牽引されています。より高速なデータ転送への需要と技術革新は、民生用機器における3D NANDフラッシュメモリの採用を継続的に促進しています。

予測期間中、アジア太平洋地域は世界の3D NAND フラッシュメモリ市場で最大のシェアを占めると予想されます。

アジア太平洋地域は、予測期間中に世界の3D NANDフラッシュメモリ市場で最大のシェアを占めると予想されています。アジア太平洋地域、特に中国、日本、韓国、台湾などの国々には、世界をリードする半導体製造企業が数多く拠点を置いています。この地域への多額の研究開発投資は、3D NANDの技術革新をもたらし、性能、容量、そしてコスト効率の向上につながっています。

北米は、予測期間中、世界の3D NANDフラッシュメモリ市場において最も高いCAGRで成長すると予想されています。この地域の成長は、高速かつ大容量のストレージソリューションへの需要によるものです。5Gデバイスとサービスは膨大な量のデータを作成・消費するため、3D NANDフラッシュメモリのような高度なストレージ技術が求められます。

世界の3D NANDフラッシュメモリ市場の主要ベンダーは、サムスン電子株式会社、インテル株式会社、東芝メモリ株式会社、ウエスタンデジタル株式会社、マイクロンテクノロジー株式会社、SKハイニックス株式会社、キングストンテクノロジーカンパニー株式会社、クルーシャルテクノロジー、サンディスク株式会社、トランセンドインフォメーション株式会社などです。

主なターゲットオーディエンス

• 市場参加者
• 投資家
• エンドユーザー
• 政府当局 
• コンサルティング・リサーチ会社
• ベンチャーキャピタリスト
• 付加価値再販業者（VAR）

最近の開発

• 2025年2月、キオクシア株式会社とサンディスク株式会社は、次世代[VS1]3Dフラッシュメモリ技術を発表しました。この技術は、4.8Gb/sのNANDインターフェース速度を実現しました。この新技術は優れた電力効率と高い密度を実現し、パフォーマンスの新たなベンチマークを確立しました。

市場セグメント

この調査では、2023年から2033年までの世界、地域、国レベルでの収益を予測しています。Spherical Insightsは、以下のセグメントに基づいて世界の3D NANDフラッシュメモリ市場をセグメント化しています。 

世界の3D NANDフラッシュメモリ市場（タイプ別）

• 単層セル
• 多階層セル
• 3層セル

世界の3D NANDフラッシュメモリ市場（アプリケーション別）

• カメラ
• ノートパソコンとPC
• スマートフォンとタブレット

世界の3D NANDフラッシュメモリ市場（用途別）

• 自動車
• 家電
• 企業
• 健康管理

グローバル3D NANDフラッシュメモリ、地域別

• 北米
  • 私たち
  • カナダ
  • メキシコ
• ヨーロッパ
  • ドイツ
  • 英国
  • フランス
  • イタリア
  • スペイン
  • ロシア
  • その他のヨーロッパ
• アジア太平洋
  • 中国
  • 日本
  • インド
  • 韓国
  • オーストラリア
  • その他のアジア太平洋地域
• 南アメリカ
  • ブラジル
  • アルゼンチン
  • 南アメリカのその他の地域
• 中東・アフリカ
  • アラブ首長国連邦
  • サウジアラビア
  • カタール
  • 南アフリカ
  • その他の中東およびアフリカ